特許
J-GLOBAL ID：201103078527812243
ショットキバリア半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-090471
公開番号（公開出願番号）：特開平2-290075
特許番号：特許第2518044号
出願日： 1989年04月10日
公開日（公表日）： 1990年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電形の半導体層に第2導電形の環状のガードリング層を設け、該ガードリング層の表面の外周側の一部から外方に向けてを酸化膜で覆い、該ガードリング層の表面の内周側の一部とその表面に取囲まれた前記半導体層の表面にバリア金属を被着し、該バリア金属上に電極金属を被着し、前記被着された電極金属層に端子導体をろう付けする際に、前記酸化膜から前記ガードリング層上の金属層を覆うようにガードリング層上方の最外面をろうに対する濡れ性の悪いポリイミド膜又は酸化膜で被覆したのち、前記ポリイミド膜又は酸化膜の被着されないガードリング層内側の部分でヘッダのろう付けを行うことを特徴とするショットキバリア半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
前のページに戻る
