特許
J-GLOBAL ID：201103078551557980
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山口 巖
, 松崎 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113672
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298203
特許番号：特許第4171959号
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】電気絶縁性を有する基板の表面に下電極層としての第1電極層,光電変換層,透明電極層(第2電極層)を順次積層してなる光電変換部と、前記基板の裏面に形成した接続電極層としての第3電極層および第4電極層とを備え、前記光電変換部および接続電極層を互いに位置をずらして単位部分にパターニングしてなり、前記透明電極層形成領域外に形成した電気的直列接続用の接続孔および前記透明電極層形成領域内に形成した集電孔を介して、前記表面上の互いにパターニングされて隣合う単位光電変換部分(ユニットセル)を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の1)ないし3)の工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
1)前記薄膜太陽電池の光電変換部および接続電極層を、電気的に直列接続する方向に対し直交する方向に複数個に電気的に分割する工程。
2)薄膜太陽電池のユニットセル内の局所的短絡を回復するために、各ユニットセルに電圧印加処理を行う工程。
3)前記電気的に分割された複数個の薄膜太陽電池を電気的に並列に接続するために、取り出し電極を電気的に接続する工程。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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