特許

J-GLOBAL ID：201103078558406375

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 田 透 ,  大倉 央
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268725
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093590
特許番号：特許第3740331号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層と、を少なくとも有する光電変換装置であって、前記電荷輸送層のいずれかが針状結晶の集合体からなる半導体針状結晶層であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 分子性結晶の昇華精製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-009364   出願人：工業技術院長