水素ガス検知素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村修一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152831
公開番号（公開出願番号）：特開2001-050923
特許番号：特許第4532671号
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層に、酸化セリウムを1〜2mol%添加してあるとともに、水素選択透過性のシリカ薄膜を形成してある水素ガス検知素子。

IPC (2件)：