特許

J-GLOBAL ID：201103078656803250

半導体装置

発明者： 古畑 智之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069409
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308099
特許番号：特許第3666401号
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板の上方に形成され、チップ領域とチップ端部とに挟まれたスクライブ領域内に開孔部を有する絶縁層であって、前記開孔部から前記チップ領域に向けて配置された第1の領域と、前記開孔部から前記チップ端部に向けて配置された第2の領域と、を有する絶縁層と、少なくとも前記開孔部内に形成された金属層と、前記絶縁層の前記第1の領域と、前記金属層との上方を少なくとも覆うように形成されたパッシベーション層と、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 27/04 H