特許
J-GLOBAL ID：201103078861939580
横型接合型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 伊藤 英彦
, 甲田 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362384
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177110
特許番号：特許第4670122号
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】SiC基板と、
前記基板の上に形成された第2導電型SiC膜と、
前記第2導電型SiC膜の上に形成された低濃度第1導電型SiC膜と、
前記低濃度第1導電型SiC膜の上に形成された第1導電型SiC膜と、
前記第1導電型SiC膜においてその膜厚が薄くされて形成されているチャネル領域と、
前記第1導電型SiC膜の上に形成された第1導電型SiCからなる膜であって、チャネル領域の両側にそれぞれ分かれて形成されているソース領域およびドレイン領域と、
第2導電型SiCの領域に形成されたゲート電極とを備え、
前記低濃度第1導電型SiC膜は、前記チャネル領域の不純物濃度よりも低濃度の第1導電型不純物を含む、横型接合型電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/80 ( 200 6.01)
, H01L 29/808 ( 200 6.01)
, H01L 21/337 ( 200 6.01)
H01L 29/80 W
, H01L 29/80 C
