特許

J-GLOBAL ID：201103078887090648

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 中木 義幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-100576
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233614
出願日： 2010年04月26日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】簡便なプロセスの採用が可能で、過電流耐性の高い構成を有した炭化珪素半導体装置を得る。【解決手段】中央のドット状の半導体領域5は、輪郭部分が太線で示されているが、当該太線で示されるリング状領域に、ドット状の半導体領域5より深い位置にp型不純物が達する電流制限部5a(大深度部)が形成されている。ドット状の半導体領域5のp型不純物の到達深さが0.2〜0.4μmであるのに対して、リング状の電流制限部5aでは、ドリフト層である半導体層1の厚さの3分の1以下となる深さに設定される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板の主面上に配設されたn型不純物を含む炭化珪素半導体層と、 前記炭化珪素半導体層の上層部に選択的に配設されたp型不純物を含む複数の半導体領域と、 前記複数の半導体領域が配設された領域上を覆い、前記炭化珪素半導体層に対してショットキー電極となるアノード電極と、 前記炭化珪素基板の前記炭化珪素半導体層が配設された側とは反対側の主面上に配設されたカソード電極とを備え、 前記複数の半導体領域のうち、少なくとも一部において、その端縁部の全部または一部の深さが他の部分よりも深く形成された大深度部を有する、炭化珪素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/861

FI (5件)：

H01L29/48 F ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/91 K

Fターム (15件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD96 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03