特許

J-GLOBAL ID：201103078976039354

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中居 司 ,  福水 裕之 ,  野尻 康弘 ,  八尋 和之 ,  岸田 基也 ,  佐藤 裕広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-155863
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014640
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

【課題】消費電力を低減させ且つ誤動作を抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】可変抵抗層63は、炭素C、及び元素群Aから選ばれる少なくともいずれか1種類以上の元素を含む第1化合物631と、化合物群G2から選ばれる少なくともいずれか1種類以上の第2化合物632とを含む混合体にて構成されている。可変抵抗層63中での第1化合物631の濃度は、30vol.%以上であり且つ70vol.%以下である。元素群G1は、水素、ボロン、窒素、シリコン、及びチタンを含む。化合物群G2は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒化炭素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミニウム酸化物、炭化珪素を含む。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え可能なメモリセルを備え、 前記メモリセルは、 印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって電気抵抗率を変化させる可変抵抗層を備え、 前記可変抵抗層は、 炭素(C)、及び以下に示される元素群G1から選ばれる少なくともいずれか1種類以上の元素を含む第1化合物と、 以下に示される化合物群G2から選ばれる少なくともいずれか1種類以上の第2化合物と を含む混合体にて構成され、 前記可変抵抗層中での前記第1化合物の濃度は、30vol.%以上であり且つ70vol.%以下である ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 (元素群G1:水素(H)、ボロン(B)、窒素(N)、シリコン(Si)、及びチタン(Ti) 化合物群G2:酸化シリコン(SiO2)、酸窒化シリコン(SiON)、窒化シリコン(SiN4)、窒化炭素(C3N4)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、炭化珪素(SiC))

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 481 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (33件)：

4K029BA64 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030LA11 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA15 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA21 ,  5F083ZA30