一軸配向共役系高分子薄膜パターン

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：中山亨 , 坂元徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-243446
公開番号（公開出願番号）：特開2011-081392
出願日： 2010年10月29日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】一軸配向共役系高分子薄膜パターンを用いて、新規なパターン状偏光素子とパターン状偏光高分子発光ダイオードを提供する。【解決手段】一般式(3)または(4)で表される繰り返し単位を有する高分子の薄膜において、薄膜面内にパターンがあり、該パターンにおいて該膜が300nmから800nmに少なくとも1種類以上の吸収ピークを持ち、該吸収ピーク波長において該パターン以外の部分よりも高い二色性比を有することを特徴とする一軸配向共役系高分子薄膜パターン。(式中、R1は、ビニレン基と連続した共役系を形成する基を示す。)(式中、R1、R2は、それぞれビニレン基と連続した共役系を形成する基を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(3)または(4)で表される繰り返し単位を有する共役系高分子の薄膜において、薄膜面内にパターンがあり、該パターンにおいて該膜が300nmから800nmに少なくとも1種類以上の吸収ピークを持ち、該吸収ピーク波長において該パターン以外の部分よりも高い二色性比を有することを特徴とする一軸配向共役系高分子薄膜パターン。

IPC (2件)：

G02B 5/30 , H01L 51/50

FI (2件)：

G02B5/30 , H05B33/14 B

Fターム (17件)：

2H149AA01 , 2H149AA02 , 2H149BA02 , 2H149BA12 , 2H149BB01 , 2H149BB12 , 2H149FA01W , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB03 , 3K107CC02 , 3K107CC05 , 3K107CC10 , 3K107CC23 , 3K107CC24 , 3K107CC32 , 3K107DD62

引用特許：

審査官引用 (7件)

液晶表示素子及びその配向膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-328657 出願人：三星電管株式會社
特開平4-208567
特開平4-208567

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