特許
J-GLOBAL ID：201103079196590691
シーディング層を利用した圧電/電歪厚膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165196
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196161
特許番号：特許第3081606号
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を提供するステップと、圧電/電歪膜と同一又は類似成分のセラミックゾル溶液や、100〜500°Cの低温で非爆発性酸化-還元燃焼反応によって製造されて、粒子の大きさが5μm以下であり、鉛、チタンを基本構成元素とするセラミック酸化物粉末と水又は有機溶媒とをベースにして製造した前記セラミック酸化物粉末と同一又は類似成分のセラミックゾル溶液とを混合して製造された圧電/電歪膜と同一又は類似成分のセラミックペーストを用いて、シーディング層を基板上にシーディング層を成形するステップと、シーディング層の反応性を向上させて基板と圧電/電歪膜との不必要な反応を抑制するために成形されたシーディング層を後処理するステップと、後処理されたシーディング層に厚膜形態の圧電/電歪膜を成形するステップと、成形された圧電/電歪膜を100〜600°Cで熱処理してシーディング層と圧電/電歪膜とを焼成させつつ、基板と圧電/電歪膜とを接合させるステップとを備え、低温熱処理のみであっても基板との接合性が優れた厚膜形態の圧電/電歪膜を形成することができるシーディング層を利用した圧電/電歪厚膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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