特許
J-GLOBAL ID：201103079239712982

半導体装置及びその製造方法

発明者：
坂本 寿博

坂本 寿博 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209064
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114269
特許番号：特許第3523811号
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一導電型半導体層の上面に反対導電型半導体層が形成された半導体基板の上面の所定の位置から前記一導電型半導体層の上面に至らない所定の深さまでを除去して凸部を形成する凸部形成工程と、前記凸部形成工程で除去した部分に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上部を所定の深さまで除去して前記凸部の上部を露出させる工程と、前記凸部上及び前記第1の絶縁膜上に一導電型半導体膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上及び前記第1の絶縁膜上に形成された前記第一導電型半導体膜上に、前記凸部上に形成された前記一導電型半導体膜の上面が露出する高さにまで第2の絶縁膜を形成する工程と、前記一導電型半導体膜上の露出部分に反対導電型半導体膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (1件)：
H01L 29/72 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)

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