特許

J-GLOBAL ID：201103079297955526

半導体装置の製造方法

発明者： 金 高 秀 海
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 佐藤 一雄 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053281
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252263
特許番号：特許第3595716号
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】LDD構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、前記ゲート上部が露出するように除去する半導体装置の製造方法において、塩素、臭化水素、六フッ化硫黄、酸素をおよそ12:3:1:1の体積比で含有し、圧力150mTorr未満の第1の雰囲気を使用して、前記ゲートを覆って形成されたシリコン窒化膜を異方性エッチングし、前記側壁スペーサに加工する第1の工程と、塩素、臭化水素、酸素をおよそ12:3:1の体積比で含有し、圧力150mTorr未満の第2の雰囲気を使用して、前記側壁スペーサ肩部をテーパエッチングして除去する第2の工程と、六フッ化硫黄、臭化水素、酸素をおよそ8:1:1の体積比で含有し、圧力150mTorr以上の第3の雰囲気を使用して、前記側壁スペーサを等方性エッチングして整形する第3の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/302 105 ,  H01L 29/78 301 P