特許

J-GLOBAL ID：201103079439415680

半導体装置

発明者： 渡邉 正樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135546
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332202
特許番号：特許第3271614号
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】機能素子と、ダミーチップとが電気的に接続され、隙間無く搭載された実装基板を備える半導体装置において、前記機能素子間の配線形成時に生じるプラズマダメージによる電荷が前記ダミーチップへ流れることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 461

FI (3件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/04 H ,  H01L 21/88 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-266057
  

審査官引用 (1件)

• 特開平4-266057