半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-310159
公開番号（公開出願番号）：特開平3-169064
特許番号：特許第2927843号
出願日： 1989年11月28日
公開日（公表日）： 1991年07月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】P型半導体表面に成長したN型エピタキシャル層が、P型拡散層によって第1領域と第2領域とに絶縁分離され、各領域の基板-エピタキシャル層境界面にはN型埋込層が形成され、第1領域にはバイポーラトランジスタが、第2領域にはI2Lが形成されているアナログ-ディジタル混在回路において、該第2領域のI2Lの逆動作マルチコレクタNPNトランジスタのベースがインジェクタの三重拡散の縦型PNPトランジスタのコレクタと共通になっており、且つ前記縦型PNPトランジスタのベースの深さは前記縦型PNPトランジスタの前記コレクタの深さよりも浅く、更に前記縦型PNPトランジスタのインジェクタが前記縦型PNPトランジスタのベースの中に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/8226 , H01L 21/331 , H01L 27/082 , H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/08 101 M , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-130555
特開昭60-084857

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