ショットキバリアダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132277
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323727
特許番号：特許第3627572号
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板上に形成した比抵抗が2〜5Ωcmの高抵抗エピタキシャル層と、該高抵抗エピタキシャル層上に選択的に形成した比抵抗が0.1〜1.0Ωcmの低抵抗エピタキシャル層と、該低抵抗エピタキシャル層の端部から前記高抵抗エピタキシャル層表面にかけて形成した第2導電型のガードリング層と、前記低抵抗エピタキシャル層及び前記ガードリング層と接する金属層を備えたことを特徴とするショットキバリアダイオード。

IPC (2件)：