特許

J-GLOBAL ID：201103079493716548

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 板谷 秀治
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-206883
公開番号（公開出願番号）：特開2011-058031
出願日： 2009年09月08日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】 装置稼働率を高めることができ、量産性に優れる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内にニッケルを含む原料を供給し基板上にニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に基板がない状態で、処理容器内にハロゲン系ガスを供給し処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物と反応させてニッケルハロゲン化物を生成し、その後、処理容器内にシクロペンタ基を含むガスを供給しニッケルハロゲン化物と反応させてニッケル化合物を生成し、このニッケル化合物を加熱し気化して処理容器内から排出することで、処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物を除去する工程と、を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

処理容器内に基板を搬入する工程と、 前記処理容器内にニッケルを含む原料を供給し前記基板上にニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、 前記処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、 前記処理容器内に前記基板がない状態で、前記処理容器内にハロゲン系ガスを供給し前記処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物と反応させてニッケルハロゲン化物を生成し、その後、前記処理容器内にシクロペンタ基を含むガスを供給し前記ニッケルハロゲン化物と反応させてニッケル化合物を生成し、このニッケル化合物を加熱し気化して前記処理容器内から排出することで、前記処理容器内に付着した前記ニッケルを含む堆積物を除去する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C16/44 J ,  H01L21/205

Fターム (34件)：

4K030AA01 ,  4K030AA18 ,  4K030BA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB40 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EE03 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EK06 ,  5F045EK07