特許

J-GLOBAL ID：201103079506737973

コンフォーマルPECVD膜を使用するクリティカルディメンジョンシュリンクのための方法

発明者： シア, リ-クン ,  バルシーヌ, ミハエラ ,  シェク, メイイー ,  リー, シイー ,  クイ, ジェンジアン ,  ネイク, メユール, ビー. ,  アーマコスト, マイケル, ディー. ,  マクリントック, ウィリアム, エイチ.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-509554
公開番号（公開出願番号）：特表2011-521452
出願日： 2009年05月04日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：

基板中に狭いビアを形成するための方法および装置を提供する。従来型のリソグラフィによって、パターンリセスを基板中にエッチングする。パターンリセスの側壁および底部を含んでいる基板の表面の上方に薄いコンフォーマル層を形成する。コンフォーマル層の厚さは、パターンリセスの実効的な幅を縮小する。下方にある基板を暴露させるために、異方性エッチングによってパターンリセスの底からコンフォーマル層を除去する。次に、マスクとしてパターンリセスの側壁を覆っているコンフォーマル層を使用して基板をエッチングする。次に、ウェットエッチャントを使用してコンフォーマル層を除去する。

請求項（抜粋）：

フィールド領域を有する基板中に形成された側壁および底部を有するリセスのクリティカルディメンジョンを縮小する方法であって、 前記フィールド領域、前記側壁、および前記底部の上方にコンフォーマル層を適用する工程と、 前記基板を暴露させるために、指向性エッチングプロセスによって前記底部から前記コンフォーマル層を除去する工程と、 前記底部において前記暴露した基板をエッチングする工程と、 ウェットエッチングプロセスによって前記コンフォーマル層を除去する工程と を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C

Fターム (34件)：

4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104HH14 ,  5F004BD01 ,  5F004EA03 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR20 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F033XX03