特許
J-GLOBAL ID：201103079674184645
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145649
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339974
特許番号：特許第3599317号
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】行方向および列方向に配置された複数のメモリセルトランジスタを備えた半導体メモリであって、前記列方向に配置された複数のメモリセルトランジスタのそれぞれのドレイン領域が第1のビット線の一部によって形成され、前記列方向に配置された前記複数のメモリセルトランジスタのそれぞれのソース領域が第2のビット線の一部によって形成され、前記第1のビット線は充電手段によって充電されることが可能であり、前記列方向に配置された前記複数のメモリセルトランジスタのそれぞれが、前記第2のビット線を介して放電手段に接続され、前記充電手段によって前記第1のビット線の充電が開始された後に、前記放電手段が開放状態となる、半導体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 601 Q
, G11C 17/00 635
