半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-268648
公開番号（公開出願番号）：特開2011-139052
出願日： 2010年12月01日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】簡便な方法で書き込みが可能であり、しきい値特性の不安定性に対応した酸化物半導体を用いた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタが紫外線照射する事でしきい値シフトする特性を有していることを利用して半導体記憶装置とする。読み取り電圧を紫外線未照射のしきい値と照射後のしきい値の間に設定して読み取ることができる。初期特性におけるしきい値特性の制御にはバックゲートを備えることや2個の薄膜トランジスタを用いることで解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタと、第1の方向に延在するワード線と、第2の方向に延在するビット線とからなり、前記薄膜トランジスタは、第1のゲート電極層、第1の絶縁層、チャネル層、ソース電極層、ドレイン電極層を有し、前記チャネル層は酸化物半導体からなり、前記チャネル層には第2の絶縁層が接して設けられ、前記第2の絶縁層には第2のゲート電極層が接して設けられ、前記ワード線は前記第1のゲート電極層と接続し、前記ビット線は前記ソース電極層と接続しており、読み取り電圧を前記ワード線に印加した時に、前記薄膜トランジスタは前記ソース電極層と前記ドレイン電極層間において第1の抵抗値を有し、紫外線書き込みのある前記薄膜トランジスタは前記ソース電極層と前記ドレイン電極層間における第2の抵抗値を有し、前記第1の抵抗値が前記第2の抵抗値より大きい事が特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/112 , H01L 21/824 , H01L 29/786 , G11C 17/00 , H01L 27/10 , G11C 16/02

FI (8件)：

H01L27/10 433 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617N , H01L29/78 613B , G11C17/00 580A , H01L27/10 481 , H01L27/10 461 , G11C17/00 601S

Fターム (82件)：

5B125BA18 , 5B125CA06 , 5B125EA01 , 5F083CR16 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA60 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN78 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-128399
光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-020558 出願人：ソニー株式会社
特開平2-128399

全件表示

前のページに戻る