特許

J-GLOBAL ID：201103080119299702

導電性Ta系膜形成材料、導電性Ta系膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにULSI

発明者： 町田 英明 ,  安原 重雄 ,  鈴木 淑恵
出願人/特許権者： 株式会社トリケミカル研究所
代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070753
公開番号（公開出願番号）：特開2000-265274
特許番号：特許第3169934号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 導電性のTa系膜を形成する材料であって、Taを有する化合物と、炭化水素系の溶媒とを含むことを特徴とする導電性Ta系膜形成材料。但し、下記のものを除く。導電性Ta系膜が窒化タンタル膜であり、Taを有する化合物がTa〔N(CH3 )Cn H2n+1〕5 (nは2,3又は4),Ta〔N(CH3 )2 〕5 ,又はTa〔N(CH2 CH3 )2 〕5 であり、炭化水素系の溶媒が炭素数6,7又は8の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭化水素、若しくは前記炭化水素と炭素数3,4,5又は6のアルキルアミンとの混合物、或いは酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル及び酢酸ペンチルからなる群より選ばれる酢酸エステルの溶媒。

IPC (12件)：

C23C 16/18 ,  B01J 19/00 ,  C07F 9/00 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  H01B 1/02 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (12件)：

C23C 16/18 ,  B01J 19/00 K ,  C07F 9/00 Z ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  H01B 1/02 Z ,  H01B 5/14 Z ,  H01B 13/00 503 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-006237   出願人：三菱マテリアル株式会社