特許

J-GLOBAL ID：201103080162696359

透明導電性基板の製造方法

発明者： 岡田 真和
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009057186
公開番号（公開出願番号）：WO2009-157244
出願日： 2009年04月08日
公開日（公表日）： 2009年12月30日
要約：

本発明は、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高透過率と低抵抗を兼備した優れた特性の透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法、及び電気化学表示素子を提供する。この透明導電性基板の製造方法は、透明基板の表面に透明絶縁膜のパターンを形成する工程と、透明絶縁膜が形成されていない透明基板の露出部分に無電解めっき法により金属電極膜を形成する工程と、透明基板の表面に形成された透明絶縁膜および金属電極膜の表面に透明導電膜を形成する工程と、を有し、透明絶縁膜と透明基板の露出部分とは、無電解めっき法による金属電極膜の付着力が透明絶縁膜よりも透明基板の露出部分の方が大きいものとされている。

請求項（抜粋）：

透明基板の表面に透明絶縁膜のパターンを形成する工程と、 前記透明絶縁膜が形成されていない前記透明基板の露出部分に無電解めっき法により金属電極膜を形成する工程と、 前記透明基板の表面に形成された前記透明絶縁膜および前記金属電極膜の表面に透明導電膜を形成する工程と、を有し、 前記透明絶縁膜と前記透明基板の露出部分とは、無電解めっき法による前記金属電極膜の付着力が前記透明絶縁膜よりも前記透明基板の露出部分の方が大きいものとされていることを特徴とする透明導電性基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01B13/00 503B ,  H01B5/14 A ,  H01L31/04 M

Fターム (14件)：

5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F151FA04 ,  5F151GA03 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB01 ,  5G323BB05 ,  5G323BB06