特許

J-GLOBAL ID：201103080308650291

半導体素子のマスク及びその制作方法

発明者： スン・ホ・リ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007850
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260907
特許番号：特許第3087064号
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 隔離領域とアクティブ領域が決められたマスクのアクティブ領域に形成されるアクティブパターン領域と、アクティブパターン領域の周囲に沿ってそのアクティブパターン領域から離れてこれを取り囲むように一定の間隙に互いに隔離されて形成されているとともに、ゲートパターン形成領域に該当する部分が除去されている複数のダミーアクティブパターン領域とを備え、ゲートパターン形成領域の幅は最終の隔離領域の最小幅より広幅又は同幅を有することを特徴とする半導体素子のマスク。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-082053