成膜装置および成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大阿久敦子 , 山下一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061205
公開番号（公開出願番号）：特開2011-195346
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】SiC(炭化珪素)膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用し、膜厚均一性と品質の高い膜を実現する成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置50の成膜室1を、珪素ソースガスを含む第1の反応ガス25用の第1のガス供給路4と、炭素ソースガスを含む第2の反応ガス26用の第2のガス供給路14と、半導体基板6の置かれる胴部30より断面積の小さい頭部31を有して成膜室1内壁を被うライナ2とから構成する。第1のガス供給路4は、内管と外管とからなって、先端が半導体基板6近傍まで延び、外管に水素ガスを供給しながら、内管に第1の反応ガス25を供給できるようにする。そして、第2のガス供給路14からライナ2の頭部31に供給された第2の反応ガス26を流下させ、第1の反応ガス25と半導体基板6の表面で混合し、半導体基板6表面にSiC膜形成を行うようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜室と、前記成膜室内に珪素のソースガスを含む第1の反応ガスを供給する第1のガス供給路と、前記成膜室内に炭素のソースガスを含む第2の反応ガスを供給する第2のガス供給路と、前記成膜室の底部に設けられた排気部と、前記成膜室の内壁を被覆する筒状のライナと、前記成膜室の前記ライナの胴部内に設けられ、基板が載置されるサセプタと、前記サセプタ上に載置される基板の下面側に位置するよう前記ライナの胴部内に配設されたヒータとを有し、前記基板上でSiC(炭化珪素)膜の成膜を行う成膜装置であって、前記ライナは、前記胴部と、前記胴部より断面積の小さい頭部とからなり、前記第1のガス供給路は、前記成膜室内に配置されている部分が内管と外管とからなる2重管構造を有し、先端が前記基板の近傍まで延びる構造であるとともに、前記内管には前記第1の反応ガスを供給し、前記外管には前記第1の反応ガスと異なる組成のガスを供給するよう構成されたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C30B 29/36 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/36 A , C23C16/455 , C30B25/14 , H01L21/205

Fターム (47件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077EG23 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077HA12 , 4G077TD05 , 4G077TG06 , 4G077TH06 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 4K030KA47 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EC01 , 5F045EC05 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EF15 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EJ10 , 5F045EK07 , 5F045EM02 , 5F045EM09

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