ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：福田賢三 , 福田伸一 , 加藤恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-112133
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243632
出願日： 2010年05月14日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。【解決手段】ペロブスカイト構造を有し且つ化学式がA1-xBxNiO3(但し、Aは希土類元素から選択された1種類の元素であり、BとしてA以外の少なくとも1種類の希土類元素であって、xは0≦x≦1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト構造を有し、化学式がA1-xBxNiO3(但し、Aは希土類元素から選択された1種類の元素であり、BとしてA以外の少なくとも1種類の希土類元素であって、xは0≦x≦1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いる、ことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 27/10 , C01G 53/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L27/10 451 , H01L29/78 613B , C01G53/00 A

Fターム (31件)：

4G048AA03 , 4G048AB01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD07 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F110AA01 , 5F110BB08 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN27

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-230168 出願人：シャープ株式会社
圧電/電歪体素子構造体及び圧電/電歪体素子構造体の製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-252375 出願人：キヤノン株式会社
2重層ペロブスカイト酸化物電極を有する電界効果トランジスタ構造及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-110272 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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