半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245020
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068662
特許番号：特許第3946910号
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)シリコン基板表面に分離領域を選択的に形成した後、分離領域で画定された複数の活性領域に選択的に、第1導電型不純物および第2導電型不純物をイオン注入し、第1導電型タブ、第2導電型タブを形成する工程と、 (b)イオン注入された前記シリコン基板表面にゲート絶縁膜を形成し、下地基板を形成する工程と、 (c)前記下地基板の表面上にアモルファス半導体層を厚さ5nm〜30nm堆積する工程と、 (d)前記アモルファス半導体層に熱処理を加え、25nm以下の粒径を有する第1の多結晶半導体層に変換する工程と、 (e)630°C以下の温度において、前記第1の多結晶半導体層上に第2の多結晶半導体層を2nm/min以上の堆積速度で堆積し、前記第1、第2の多結晶半導体層をパターニングして多結晶半導体のゲート電極を形成する工程と、 (f)前記多結晶半導体のゲート電極およびその両側の前記活性領域に不純物をイオン注入する工程と、 (g)前記イオン注入した不純物を活性化する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/423 ( 200 6.01) , H01L 29/49 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/28 301 A , H01L 29/58 G , H01L 27/08 321 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

特公昭64-007488
特開昭63-048865
特開平4-287929

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審査官引用 (7件)

特公昭64-007488
特開平4-287929
特開昭64-048411

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