特許

J-GLOBAL ID：201103080752091347

アクティブマトリクス基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法

発明者： 村井 一郎 ,  村井 博之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉 ,  東野 博文
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109629
公開番号（公開出願番号）：特開2001-296549
特許番号：特許第3895517号
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 走査線とデータ線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極及び蓄積容量を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、 前記トランジスタのチャネルとなる領域と前記蓄積容量の第1電極となる領域の半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に第1絶縁膜を形成する工程と、 少なくとも前記チャネルとなる領域を第1レジストで覆い、前記第1電極となる領域に第1イオン注入する工程と、 前記第1レジストを除去する工程と、 前記チャネルとなる領域及び第1電極となる領域上に第2絶縁膜を形成する工程と、 しかる後に、前記チャネルとなる領域と前記第1電極となる領域の両方に、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を介して、第1イオン注入と異なる不純物濃度の第2イオン注入する工程と、 第2絶縁膜上にゲート電極及び蓄積容量の第2電極を形成する工程と を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/266 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G02F 1/136 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 617 U

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215502   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-280018