特許
J-GLOBAL ID：201103080831028286
シリコン半導体基板の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森 道雄
, 穂上 照忠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110683
特許番号：特許第4055343号
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】酸素濃度が11〜17×1017atoms/cm3のシリコン単結晶より採取した基板用素材を用い、アルゴン雰囲気中で昇温速度を10〜30°C/秒として1100〜1300°Cに加熱し、50°C/秒以上の冷却速度にて冷却することを特徴とする、表面に厚さ10μm以上の無欠陥層を有し、かつ酸素析出物密度が厚さ中心部は低く表面の無欠陥層に近い方は高いシリコン半導体用基板の急速昇降温熱処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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