特許
J-GLOBAL ID:201103080841946836
光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-205023
公開番号(公開出願番号):特開2011-054902
出願日: 2009年09月04日
公開日(公表日): 2011年03月17日
要約:
【解決手段】(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン、(B)白色顔料、(C)無機充填剤(但し、白色顔料を除く)、(D)硬化触媒、(E)離型材、(F)シランカップリング剤を必須成分とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物において、(B)成分の白色顔料がアルミナ又はシリカとアルミナで表面処理されている単位格子がアナタース型構造の二酸化チタンであり、波長350〜400nmで光反射率が80%以上である光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。【効果】本発明の白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、光半導体ケース形成用として使用した場合、波長350〜400nmにおいて80%以上と高い光反射率を維持する硬化物を与えるものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン、
(B)白色顔料、
(C)無機充填剤(但し、白色顔料を除く)、
(D)硬化触媒、
(E)離型材、
(F)シランカップリング剤
を必須成分とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物において、(B)成分の白色顔料がアルミナ又はシリカとアルミナで表面処理されている単位格子がアナタース型構造の二酸化チタンであり、波長350〜400nmで光反射率が80%以上であることを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
IPC (4件):
H01L 33/48
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (3件):
H01L33/00 400
, H01L23/28 K
, H01L23/30 F
Fターム (24件):
4M109AA01
, 4M109BA02
, 4M109BA04
, 4M109CA02
, 4M109CA05
, 4M109CA21
, 4M109CA22
, 4M109EA10
, 4M109EB04
, 4M109EB08
, 4M109EB09
, 4M109EB12
, 4M109EB15
, 4M109EC05
, 4M109EC11
, 4M109EC15
, 4M109GA01
, 5F041AA44
, 5F041DA07
, 5F041DA17
, 5F041DA43
, 5F041DA74
, 5F041DA77
, 5F041DA78
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