トランジスタの作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-083241
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308344
特許番号：特許第3602463号
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板上のソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体薄膜、該半導体薄膜上のゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜上のゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ガラス基板上に半導体薄膜を形成し、前記半導体薄膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして、前記ゲート絶縁膜をエッチングして薄くし、前記ゲート絶縁膜を薄くした後に、前記ゲート電極をマスクとして、N型の不純物を前記半導体薄膜に添加し、前記不純物を添加した後に、前記エッチングにより薄くした部分のゲート絶縁膜を除去し、前記ゲート絶縁膜を除去した後に、前記半導体薄膜、前記ゲート電極を覆って層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜を介して前記不純物が添加された半導体薄膜にNd:YAGレーザーの第2高調波、第3高調波又は第4高調波を照射して活性化することを特徴とするトランジスタの作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 29/78 616 M , H01L 21/20 , H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 301 F , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-228043
特開昭58-023479
特開平2-228043

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