特許

J-GLOBAL ID：201103080950556223

酸化物超電導体薄膜の製造方法

発明者： 砂井 正之 ,  寺島 喜昭 ,  三浦 忠男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-313671
公開番号（公開出願番号）：特開平3-174394
特許番号：特許第3015393号
出願日： 1989年11月30日
公開日（公表日）： 1991年07月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】単結晶体からなる被着基体の酸化物超電導体薄膜形成面を前記単結晶体の(100)結晶面、(110)結晶面および(111)結晶面より選ばれたいずれかの結晶面から3度〜8度の範囲で傾斜させた面とし、前記被着基体の温度を600°C以下に加熱して前記薄膜形成面上に酸化物超電導体を成膜することを特徴とする酸化物超電導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501

FI (3件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-082576