特許
J-GLOBAL ID：201103081458935657
MRヘッドの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155222
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339626
特許番号：特許第3569462号
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる下部磁極と、該下部磁極上に非磁性材料からなるギャップ層を介して形成される上部磁極と、下部磁極および上部磁極に絶縁して形成され、下部磁極と上部磁極に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられたMRヘッドの製造方法において、基板上に、前記下部磁極を含む多数の磁気抵抗効果型ヘッドを作り込む積層工程と、該下部磁極上に前記非磁性材料層を形成する工程と、該非磁性材料層上に前記下部磁極よりも幅の狭い前記上部磁極を形成する工程と、前記上部磁極先端部および該上部磁極先端部付近の前記非磁性材料層を露出させて形成した第1のレジスト皮膜をマスクとして露出した前記非磁性材料層を除去する反応性イオンエッチング工程と、該第1のレジスト皮膜を除去する工程と、前記上部磁極先端部側と該上部磁極先端部側に対応する前記下部磁極を開口部により露出させて、前記上部磁極先端部側の開口部内壁面の浮上面からの距離が1〜3μmで厚さが10〜15μmの第2のレジスト皮膜を形成する工程と、前記基板を回転させつつ、前記第2のレジスト皮膜をマスクとして、前記開口部内にイオンビームを0°以外の任意の入射角で照射して、前記露出した下部磁極を所要深さエッチングするイオンミリング工程と、前記第2のレジスト皮膜を除去する工程とを含むことを特徴とするMRヘッドの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11B 5/31 D
, G11B 5/31 K
, G11B 5/39
