半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-194509
公開番号（公開出願番号）：特開2011-018921
出願日： 2010年08月31日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。【解決手段】(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

発光素子と、配線が施された基板と、発光素子を封止する封止部とを有する発光装置であって、前記基板は、その一面に前記発光素子を収納する凹所が設けられており、凹所の底部に発光素子が実装され、凹所内に封止部が設けられており、さらに前記基板は、 (1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、

IPC (2件)：

H01L 33/56 , C08G 77/04

FI (2件)：

H01L33/00 424 , C08G77/04

Fターム (51件)：

4J246AA03 , 4J246AB15 , 4J246BA04X , 4J246BA040 , 4J246BA14X , 4J246BA140 , 4J246BB02X , 4J246BB022 , 4J246CA05U , 4J246CA14U , 4J246CA14X , 4J246CA140 , 4J246CA19U , 4J246CA190 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA340 , 4J246CA400 , 4J246CA450 , 4J246CA460 , 4J246CA650 , 4J246CA680 , 4J246CA690 , 4J246CA760 , 4J246CA780 , 4J246CA830 , 4J246FA061 , 4J246FA131 , 4J246FA421 , 4J246FA441 , 4J246FC181 , 4J246FD08 , 4J246FE06 , 4J246GA12 , 4J246GB15 , 4J246GB33 , 4J246GC22 , 4J246GC23 , 4J246GC24 , 4J246HA11 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA18 , 5F041DA19 , 5F041DA45 , 5F041DB01 , 5F041DB09 , 5F041EE25

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