特許

J-GLOBAL ID：201103081931587076

ホトダイオードおよびその製造方法

発明者： フェン・チェン ,  ロジャー・エイム・デュフレズネ ,  バオチェン・リー ,  アルヴィン・ウェーン・ストロング
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-282178
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158364
特許番号：特許第3683842号
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】N+シリコン基板と、前記N+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層と、前記窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層と、前記再酸化層の少なくとも一部分の上に形成されたN+ポリシリコン層とを備えるホトダイオードであって、前記N+シリコン基板に前記N+ポリシリコン層に対して正のバイアスをかけて前記ホトダイオードに照明を当てると、負の微分抵抗領域を示すホトダイオード。

IPC (1件)：

H01L 31/0248

FI (1件)：

H01L 31/08 H