特許
J-GLOBAL ID：201103081977072216
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-260486
公開番号（公開出願番号）：特開平3-120694
特許番号：特許第2634916号
出願日： 1989年10月04日
公開日（公表日）： 1991年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数のワード線と、これら各ワード線と接続する複数のメモリセルと、これらメモリセルの所定のメモリセルと接続し互いに相補の信号対を伝達する複数の第1及び第2のディジット線対と、これら各第1及び第2のディジット線対と対応して設けられ第1の制御信号によりオン・オフして互いに相補の入力信号対を伝達制御する複数の第1のトランスファゲートと、これら各トランスファゲートとそれぞれ対応して設けられ対応するこれらトランスファゲートからの信号を一時保持する所定の容量の複数の容量素子を備えたフラッシュライトレジスタと、前記各第1のディジット線対と対応する前記容量素子との間に設けられ第2の制御信号によりオン,オフしてこれら容量素子に保持されている信号をこれら第1のディジット線対へそれぞれ伝達制御する複数の第2のトランスファゲートと、前記各第2のディジット線対と対応する前記容量素子との間に設けられ第3の制御信号によりオン・オフしてこれら容量素子に保持されている信号をこれら第2のディジット線対へそれぞれ伝達制御する複数の第3のトランスファゲートとを有することを特徴とする半導体メモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
-
特開平1-130385
-
特開平1-213890
-
特開平1-178196
前のページに戻る
