半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-535962
特許番号：特許第3588801号
出願日： 1999年01月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】配線が形成されたフィルムキャリアテープに半導体素子を実装する工程と、前記半導体素子を樹脂で封止する工程と、前記フィルムキャリアテープを前記個片のフィルム実装体に打ち抜く工程と、各個片のフィルム実装体の検査を行って良品を選別する工程と、複数の取付領域を有する補強部材の各取付領域に、良品として選別された前記個片のフィルム実装体を設ける工程と、前記個片のフィルム実装体が設けられた取付領域に対応して、前記補強部材を切断して個片に分離する工程と、を含み、前記検査を行って良品を選別する工程は、前記半導体素子を樹脂で封止する工程の後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：