特許
J-GLOBAL ID：201103082101083128
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356089
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035160
特許番号：特許第4368994号
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置であって、
電源電位を受けて、複数の基準電位のうちのいずれか一つを選択的に出力する基準電位生成回路と、
前記基準電位生成回路の出力を受けて、内部電位を生成する電圧変換回路と、
前記電圧変換回路からの前記内部電位に基づいて動作する内部回路とを備え、
前記基準電位生成回路は、
前記複数の基準電位のうちのいずれか一つを選択的に切換えて出力する切換回路と、
前記複数の基準電位をそれぞれ生成する複数の電位発生回路とを含み、
前記複数の電位発生回路の各々は、
生成する前記基準電位に対応する参照電位を発生する参照電位生成回路と、
前記参照電位に応じて前記基準電位を出力し、前記切換回路の切換え時に所定期間電流駆動能力を増加させるバッファ回路とを含む、半導体装置。
IPC (2件)：
G11C 11/4074 ( 200 6.01)
, G11C 11/403 ( 200 6.01)
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 363 M
