特許
J-GLOBAL ID：201103082180163778
半導体メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200278
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054646
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】書き換え電力を可及的に小さく、かつ信頼性の高いイオン伝導メモリ素子を提供することを可能にする。【解決手段】イオン伝導性を有する層と、前記イオン伝導性を有する層に可動イオンとして供給可能な第1の金属を含む導電性材料から成る第1の電極と、前記第1の金属を含まない導電性材料から成る第2の電極を備え、低抵抗状態の抵抗値を、第2の電極に接して第1の電極と第2の電極との間に形成する金属フィラメントの先端と第1の電極とのトンネル抵抗値とし、その抵抗値はイオン伝導性を有する層に可動イオンとして供給可能な前記金属の含有量で制御される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
イオン伝導性を有する層と、
前記イオン伝導性を有する層に可動イオンとして供給可能な第1の金属と前記第1の金属と異なる導電性材料から成る第1の電極と、
前記第1の金属を含まない導電性材料から成る第2の電極から構成される半導体メモリ素子であって、
抵抗値が低い状態の前記半導体メモリ素子は、第2の電極に接して第1の電極と第2の電極との間に形成する金属フィラメントの先端と第1の電極とが接触していないことを特徴とする半導体メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
