特許
J-GLOBAL ID：201103082195297207
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-266038
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011521
特許番号：特許第3990393号
出願日： 2004年09月13日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層と制御ゲートの間に容量結合する電荷蓄積層を備えて構成された電気的書き替え可能なメモリセルと、
前記メモリセルのしきい値を制御するしきい値制御手段であって、前記メモリセルのしきい値を変動させるために前記制御ゲートと前記半導体層との間に電圧パルスを印加する第1のステップと、前記電圧パルスの印加後に前記メモリセルのしきい値を検出する第2のステップとを、前記メモリセルのしきい値が所望のしきい値に達するまで前記電圧パルスの電圧を一定の電圧変動分ずつ高めながら繰り返すしきい値制御手段と、
を備え、
前記電圧変動分は、前記電圧パルスを印加した時に前記メモリセルのしきい値がほぼ前記電圧変動分だけ変動されるように設定され、且つ少なくとも前記メモリセルのしきい値が前記所望のしきい値に達するときに、前記電圧パルスの印加によって前記メモリセルのしきい値が前記電圧変動分だけ変動するように、前記電圧パルスの初期値が設定されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01)
, G11C 16/04 ( 200 6.01)
G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 622 E
, G11C 17/00 641
