特許
J-GLOBAL ID：201103082434637619
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-020297
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285690
特許番号：特許第3822410号
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のゲート及び第1の電流経路を有する第1のMOSトランジスタと、
第2のゲート及び第2の電流経路を有し、前記第1のMOSトランジスタの第1の電流経路の一端の電位が前記第2のゲートに供給される第2のMOSトランジスタと、
第3のゲート及び第3の電流経路を有し、前記第2のMOSトランジスタの第2の電流経路の一端の電位が前記第3のゲートに供給される第3のMOSトランジスタとを具備し、
前記第1のMOSトランジスタの第1の電流経路の他端に第1の電位を供給し、前記第2のMOSトランジスタの第2のゲートをチャージした後、前記第2のMOSトランジスタを導通状態にし、前記第2のMOSトランジスタの第2のゲートをフローティング状態にし、
前記第2のゲートがチャージされた第2のMOSトランジスタの第2の電流経路の他端に前記第1の電位よりも高い第2の電位を供給し、前記第3のMOSトランジスタの第3のゲートをチャージし、
前記第1のMOSトランジスタの第1の電流経路の他端に前記第1の電位と等しいか若しくは低い第3の電位を供給し、前記第2のMOSトランジスタの第2のゲートをディスチャージし、前記第2のMOSトランジスタを非導通状態として前記第3のMOSトランジスタの第3のゲートをフローティング状態にし、前記第3のMOSトランジスタの第3の電流経路の一端を昇圧電位にすることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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