特許

J-GLOBAL ID：201103082515127119

貫通電極で貼り合わせた300mmウエハと半導体装置

発明者： 古村 雄二 ,  村 直美 ,  西原 晋治 ,  片倉 義明
出願人/特許権者： 株式会社フィルテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-141723
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287802
出願日： 2009年06月13日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】ウエハを貫く貫通電極でウエハ上のデバイスを接続し、ウエハを貼り合わせて高集積で高機能の半導体装置を製造するとき、貫通電極とウエハを絶縁分離する工程とバンプを形成する工程、バンプを接続する工程があった。これらの工程を省きチップを積層した半導体装置の原価を低減することが課題であった。【解決手段】ウエハを貫くリング状の孔にシリコン酸化膜を埋め込み、これの中の貫通電極を形成することでウエハと貫通電極を絶縁分離した。この方法で工程数が少なくなった。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

孤立したダミーパターンのある第1のウエハと第2のウエハを貼り合わせたシリコンウエハであって、当該第2のウエハには絶縁材料が埋め込まれたアイソレイションの孔があって、当該アイソレイションに囲まれた内部にウエハを貫く貫通電極孔が形成されてあって、当該貫通電極孔に埋めこまれた金属により第1のウエハの電極パッドと第2のウエハの電極パッドが接続されてあることを特徴とする貼り合わせシリコンウエハ。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (3件)：

H01L25/08 Z ,  H01L21/88 J ,  H01L21/88 T

Fターム (14件)：

5F033JJ11 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033SS21 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02