特許

J-GLOBAL ID：201103082522223840

パターン形成方法、レジスト塗布分布算出装置及びレジスト塗布分布算出プログラム

発明者： 小柴 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-019694
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159764
出願日： 2010年01月29日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】半導体装置等の製造における簡易なパターン形成方法を提供する。【解決手段】テンプレートパターンデータに基づいてテンプレートに形成されたテンプレートパターンの情報を取得し、前記テンプレートパターンの情報に基づき、レジスト塗布分布を設定し、前記レジスト塗布分布に基づいて、基板上にレジストを塗布し、前記基板上に塗布したレジストに前記テンプレートを接触させ、前記テンプレートパターン内に前記レジストを充填させ、前記充填したレジストを硬化し、前記テンプレートを前記レジストから離すことを備えたパターン形成方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

テンプレートパターンデータに基づいてテンプレートに形成されたテンプレートパターン の情報を取得する工程と、 前記テンプレートパターンの情報に基づき、レジスト塗布分布を設定する工程と、 前記レジスト塗布分布に基づいて、基板上にレジストを塗布する工程と、 前記基板上に塗布したレジストに前記テンプレートを接触させる工程と、 前記テンプレートパターン内に前記レジストを充填させる工程と、 前記充填したレジストを硬化する工程と、 前記テンプレートを前記レジストから離す工程と、 を備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z

Fターム (15件)：

4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AR14 ,  4F209AR20 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F046JA01 ,  5F146AA28 ,  5F146JA01