特許
J-GLOBAL ID：201103082545865041
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-121205
公開番号（公開出願番号）：特開平2-301131
出願日： 1989年05月15日
公開日（公表日）： 1990年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】単結晶半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に多結晶半導体層を形成する工程と、この多結晶半導体層を所定の形状にパターニングする工程と、この所定の形状にパターニングされた多結晶半導体層を酸素を含む雰囲気中で、温度900〜1100°Cの範囲にて活性化のための熱処理を行なう第1の熱処理工程と、上記絶縁膜を通して上記単結晶半導体基板の所定の領域に対し3×1015cm-2以下のドーズ量で不純物を注入する工程と、然る後に窒素ガス雰囲気中または不活性ガス雰囲気中または窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で温度850〜1050°Cの範囲にて不純物注入部の再単結晶化処理のための熱処理を行なう第2の熱処理工程と、然る後に酸素を含む雰囲気中で温度900〜1250°Cの範囲にて注入された不純物の拡散のための熱処理を行なう第3の熱処理工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/28 B 7376-4M
, H01L 27/092
