特許

J-GLOBAL ID：201103082568838912

薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器

発明者： 谷口 理 ,  横関 弥樹博 ,  宮下 寛子 ,  鈴木 寿一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-298103
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138934
出願日： 2009年12月28日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】キャリアの移動度を向上させることが可能な薄膜トランジスタ、ならびにそのような薄膜トランジスタを用いた表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】酸化物半導体層15を、チャネルを構成するキャリア走行層151と、キャリア供給層152とを含む多層膜により構成する。また、キャリア供給層152における伝導帯下端準位Ec2が、キャリア走行層151における伝導帯下端準位Ec1よりもエネルギー的に高くなるように設定する(Ec2>Ec1)。キャリア供給層152からキャリア走行層151へとキャリア(電子)が供給され、キャリア走行層151内におけるキャリア供給層152との界面近傍の領域に、電子を蓄積させることができる。これにより、従来と比べて電子に対する走行散乱が抑えられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 チャネルを構成するキャリア走行層と、このキャリア走行層へキャリアを供給するためのキャリア供給層とを含む多層膜からなる酸化物半導体層と、 前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜と、 ソース・ドレインとなる一対の電極と を備え、 前記キャリア供給層におけるキャリア供給元に対応する伝導帯下端準位もしくは価電子帯上端準位が、前記キャリア走行層におけるキャリア供給先に対応する伝導帯下端準位もしくは価電子帯上端準位よりもエネルギー的に高くなっている 薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 15/00 ,  G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 612Z ,  C01G15/00 Z ,  G02F1/1368

Fターム (41件)：

2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72