特許

J-GLOBAL ID：201103082576123620

ガスセンサ

発明者： 山岸 豊 ,  渋谷 享司
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (3件)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子 ,  齊藤 真大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-158694
公開番号（公開出願番号）：特開2011-075545
出願日： 2010年07月13日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】数ppbレベルの低濃度NO2を高感度に検出することが可能なガスセンサを提供する。【解決手段】内部にサンプルガスが通過可能な間隙が形成されており、少なくとも前記間隙の表面に銀が表出している銀触媒部材4と、n型酸化物半導体からなるガス感応膜が形成されている第1の半導体式ガスセンサ素子5と、前記銀触媒部材と前記第1の半導体式ガスセンサ素子とを連通して、前記銀触媒部材から前記第1の半導体式ガスセンサ素子に向かう方向へサンプルガスを流通させる主流路2とを少なくとも備えているようにした。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

内部にサンプルガスが通過可能な間隙が形成されており、少なくとも前記間隙の表面に銀が表出している銀触媒部材と、 n型酸化物半導体からなるガス感応膜が形成されている第1の半導体式ガスセンサ素子と、 前記銀触媒部材と前記第1の半導体式ガスセンサ素子とを連通して、前記銀触媒部材から前記第1の半導体式ガスセンサ素子に向かう方向へサンプルガスを流通させる主流路と、 を少なくとも備えていることを特徴とするガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (2件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C

Fターム (13件)：

2G046AA04 ,  2G046AA13 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BD01 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046BG01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE38 ,  2G046FE46