半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110741
特許番号：特許第3612009号
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板上に酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜をパターニングして第1および第2の結晶性珪素膜を形成し、前記第1の結晶性珪素膜および第2の結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記第1の結晶性珪素膜上に前記ゲイト絶縁膜を介して第1のゲイト電極を形成し、前記第2の結晶性珪素膜上に前記ゲイト絶縁膜を介して第2のゲイト電極を形成し、イオンを注入するための第1のチャンバーと、アッシングおよびドライエッチングするための第2のチャンバーと、赤外光を照射する第3のチャンバーとを有する半導体処理装置を用い、第1のチャンバーにおいて、前記第2の結晶性珪素膜をレジストマスクで覆った状態で、前記第1のゲイト電極をマスクにして前記第1の結晶性珪素膜にホウ素のイオンを注入し、前記基板を外気にさらすことなく、前記第1のチャンバーから第2のチャンバーに移送し、前記第2のチャンバーにおいて、前記第2の結晶性珪素膜を覆ったレジストマスクをアッシングして除去し、前記基板を外気にさらすことなく、前記第2のチャンバーから第1のチャンバーに移送し、第1のチャンバーにおいて、前記第1および第2のゲイト電極をそれぞれマスクにして、前記第1および第2の結晶性珪素膜に燐を含むイオンを注入し、前記基板を外気にさらすことなく、前記第1のチャンバーから第2のチャンバーに移送し、前記第2のチャンバーにおいて、前記第1および第2のゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部をドライエッチングして前記第1および第2の結晶性珪素膜の一部を露呈させ、前記基板を外気にさらすことなく、前記第2のチャンバーから第3のチャンバーに移送し、前記第3のチャンバーにおいて、ラピットサーマルアニールにより、前記第1および第2の結晶性珪素膜に注入したイオンを活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 21/3065 , H01L 21/336 , H01L 21/68 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/265 602 B , H01L 21/20 , H01L 21/68 A , H01L 21/265 H , H01L 21/302 C , H01L 29/78 627 B , H01L 29/78 616 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-286370
特開平4-286367
特開平4-278925

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