特許
J-GLOBAL ID：201103082720653010
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 和子
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-195175
公開番号（公開出願番号）：特開平3-060064
出願日： 1989年07月27日
公開日（公表日）： 1991年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の主面側に、シリコンを主成分とする薄膜状の下層シリコン層、上記下層シリコン層上の薄膜状の抵抗体層、上記抵抗体層上のシリコンを主成分とする薄膜状の上層シリコン層および上記上層シリコン層上の薄膜状の酸化シリコン層を真空を破らずに順次形成することにより薄膜抵抗素子を形成する工程と、上記酸化シリコン層上に保護絶縁層を形成する工程と、上記保護絶縁層および上記酸化シリコン層の一部を除去して上記上層シリコン層の一部を露出させてコンタクト部を形成する工程と、露出した上記上層シリコン層のコンタクト部に接するように電極層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
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