特許

J-GLOBAL ID：201103082799705672

ゲートリセスの形成方法、AlGaN/GaN-HEMTの製造方法及びAlGaN/GaN-HEMT

発明者： 丸井 俊治 ,  大来 英之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (2件)： 伊藤 政幸 ,  磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-224521
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077122
出願日： 2009年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】閾値電圧(Vth)のばらつきの発生を抑制した、ゲートリセスの形成方法、ノーマリオフ型のAlGaN/GaN-HEMTの製造方法及びAlGaN/GaN-HEMTを提供する。【解決手段】光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部19から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するUV光を照射しながら、SiN表面保護層17の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス20の形成方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するUV光を照射しながら、SiN表面保護層の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングする ことを特徴とするゲートリセスの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/306 B ,  H01L21/306 L ,  H01L21/28 E

Fターム (31件)：

4M104CC03 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043EE14 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15