特許
J-GLOBAL ID：201103082801373488
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186938
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015525
特許番号：特許第3600069号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の方向、及び該第1の方向と交差する第2の方向に、複数のトランジスタセルを規則的に配列した電力用半導体装置であって、前記トランジスタセルは、それぞれ、前記第1の方向に配列された一対のコレクタコンタクト領域と、前記一対のコレクタコンタクト領域の間に配置されたベース領域と、前記一対のコレクタコンタクト領域の中央部分に配置されたベースコンタクト領域と、平面パターン上ベース領域の内部となる位置において、前記第2の方向に前記ベースコンタクト領域から所定の間隔で配列され、それぞれ第1の配線コンタクト部を有し、互いに分離した複数の第1のエミッタ領域と、平面パターン上ベース領域の内部となる位置において、前記第1の方向に前記ベースコンタクト領域から所定の間隔で配列され、且つ前記複数の第1のエミッタ領域のそれぞれに隣接して配置され、前記配線コンタクト部を有しない複数の第2のエミッタ領域とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/41
, H01L 29/732
H01L 29/72 P
, H01L 29/44 L
