面発光レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-175852
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358403
特許番号：特許第3566184号
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】活性層の両側を半導体分布ブラッグ反射鏡で挟んだ構造を有し、前記活性層の側面から入射する励起光によって励起する面発光レーザであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡を構成する半導体のバンドギャップが、前記励起光の光子のエネルギーよりも大きく、かつ前記励起光に対して透明であり、前記活性層が、量子井戸層と該量子井戸層を挟むキャリア閉じ込め層からなり、前記量子井戸層のバンドギャップが、前記励起光の光子のエネルギーよりも小さく、かつキャリア閉じ込め層のバンドギャップが、前記励起光の光子のエネルギーよりも大きい面発光レーザにおいて、前記半導体分布ブラッグ反射鏡を構成する半導体のうち、屈折率の最も小さい半導体と最も大きい半導体の屈折率をそれぞれnD1,nD2とし、前記キャリア閉じ込め層の屈折率をnSとしたとき、nD1<nS<nD2の関係が成り立つことを特徴とした面発光レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/183 , H01S 5/04 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/183 , H01S 5/04 , H01S 5/343

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