特許

J-GLOBAL ID：201103082888436502

縦型半導体素子を備えた半導体装置およびその製造方法

発明者： 住友 正清 ,  榊原 純 ,  藤井 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-097170
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228490
出願日： 2010年04月20日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】スイッチング速度や破壊耐量を向上することができる縦型半導体素子を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】スーパージャンクション構造を構成するn型領域2およびp型領域3の上面レイアウトをセル領域と外周領域とで異ならせる。そして、外周領域では、p型領域3bが表面だけでなく深さ方向においても互いに連結され、外周領域の外周側から内周側に至るまで繋がった構造となるようにする。これにより、ホール(キャリア)が引き抜かれるときに、外周領域のp型領域3bの表面のみでなく、深い位置も含めた広い範囲をホールの電流経路とすることができる。したがって、従来と比較してホールの電流経路を広げることが可能となり、スイッチング速度や破壊耐量を向上させることが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主表面および裏面を有する第1導電型または第2導電型の半導体基板(1)の前記主表面側に形成され、第1導電型領域(2、2a、2b)と第2導電型領域(3、3a、3b)とが交互に繰り返し形成されたスーパージャンクション構造が構成されていると共に、 前記スーパージャンクション構造が形成された領域内にセル領域を設け、該セル領域において前記半導体基板(1)の前記主表面側に配置される表面電極(11)と前記裏面側に配置される裏面電極(12)との間に電流を流す縦型半導体素子が形成されていると共に、前記セル領域の外周を囲む外周領域のうち少なくとも前記セル領域側となる内周側にも前記スーパージャンクション構造が備えられ、 前記外周領域に配置された前記第2導電型領域(3b)は、前記外周領域の外周側から内周側に至るまで深さ方向において繋がった構造とされていることを特徴とする縦型半導体素子を備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 658E